|
Шифр лота |
2015-14-579-0014 |
|
Тема лота |
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм |
|
Мероприятие |
1.3 Проведение прикладных научных исследований и разработок, направленных на создание продукции и технологий |
|
Очередь |
7 |
|
Номер лота в очереди |
2 |
|
Планируемое кол-во соглашений по лоту |
1 |
Начальная цена лота |
20.00 млн. руб.
на 2015 год — 12 млн. руб. |
|
Начальная цена соглашения |
20.00 млн. руб.
на 2015 год — 12 млн. руб. |
|
Плановая дата начала работ |
05 августа 2015 |
|
Плановая дата окончания работ |
31 декабря 2016 |
Документы
|
Опубликован
30 апреля 2015 |
Объявление о проведении открытого конкурса.pdf Конкурсная документация.pdf |
|---|---|
|
Вскрытие
09 июня 2015 |
Протокол вскрытия конвертов.pdf |
|
Рассмотрение
16 июня 2015 |
Протокол рассмотрения заявок.pdf |
|
Оценка и сопоставление
07 июля 2015 |
Протокол оценки и сопоставления.pdf |